宮坂教授、谷口准教授らとキラルな層状ペロブスカイト型半導体で光起電力を発現 電位差界面を使わない光起電力材料開発に指針

国立大学法人東北大学金属材料研究所の谷口耕治准教授、宮坂等教授らは、有機・無機ハイブリッド層状ペロブスカイト型半導体にキラル分子を組み込むことで、光起電力の起源となる電位差界面（p-n接合のような異なる物質同士が接する界面）を必要としない光起電力効果（バルク光起電力効果）を発生させることに成功しました。

　本研究成果は、米国化学誌「Journal of the American Chemical Society」のオンライン版に2019年9月7日付で掲載されました。

詳細：プレスリリース本文

本件に関するお問い合せ先（研究内容）
教授　宮坂　等（ミヤサカ　ヒトシ）
TEL：022-215-2030（錯体化学物性部門）　E-mail：miyasaka*imr.tohoku.ac.jp
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