構成メンバー

界面現象の操作で新しい結晶成長法を切り拓く

低炭素社会実現に向けた高機能結晶材料の開発

結晶材料化学研究部門

宇田聡（うだ　さとし）
教授

三菱マテリアル（株）在職中の1992年に米国スタンフォード大学で Ph.D.を取得。2003年東北大学金属材料研究所教授。酸化物、半導体、タンパク質結晶などに界面電場を印加し、相平衡、成長ダイナミクスを制御する研究に従事。同時にSi結晶の育成に関し、その場観察を利用した結晶成長メカニズムの解明や複数不純物添加による欠陥発生の減少など、基礎研究をベースに高効率太陽電池Si 結晶の開発研究を行っています。

高効率Si太陽電池実現のための基礎研究

環境・エネルギー問題の打開策として、世界的に太陽電池の研究開発が活性化されています。様々な材料において太陽電池への応用が検討されていますが、将来的な大量生産を見据えるならば、資源が豊富で安全なSiで他国を圧倒する技術を開発することに注力するべきです。私たちは、Si結晶の融液成長メカニズムや不純物の偏析現象など結晶成長界面で起こっている現象の基礎的理解を徹底的に追求し、その上で太陽電池に最適なSi結晶の実現を目指しています。

高特性車載用燃焼圧センサーの開発

自動車の燃費向上によるCO₂排出量減少を目指し、高温特性に優れた燃焼圧センサー用の圧電素子結晶の開発を行っています。育成雰囲気がイオン種の偏析現象に及ぼす影響の解明と制御により、高機能結晶の実現を目指しています。

主要業績

1. K.Fujiwara, H.Fukuda, N.Usami,
    K.Nakajima and S.Uda, "Growth
    mechanism of the Si <110> faceted
    dendrite", Physical Review B, 81
    (2010)224106.
2. M.Arivanandhan, R.Gotoh,
    K.Fujiwara and S.Uda, "High minority
    carrier Iifetime in Ga-doped
    Czochralski- grown silicon by Ge
    codoping", Applied Physics Letters,
    94 (2009) 072102.

連絡先

URL: http://www.uda-lab.imr.tohoku.ac.jp/

TEL : 022-215-2100 / FAX: 022-215-2101

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