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パワー半導体β-Ga₂O₃の特性を左右する 水素の準安定状態を解明 -材料中の微量水素が持つ「2つの顔」に迫る-

半導体材料の電気特性はその中に微量に存在する水素によって大きく左右されるが、その原子レベルでのメカニズムを調べる手段は極めて限られている。東北大学金属材料研究所の岡部博孝特任助教、茨城大学理工学研究科の平石雅俊研究員、高… 続きを読む »